總結(jié)
觀察多模光纖輸出端面的NFP（近場模式）。 采用850nm LD光源作為光源。 NFP測量光學(xué)系統(tǒng)使用我們的高性能NFP測量光學(xué)系統(tǒng)M-Scope Type S，物鏡使用M-Plan Apo 20x。 該探測器使用我們的ISA011高精度數(shù)字CCD探測器。
技術(shù)文章
使用850nm LD光源測量多模光纖出口端的NFP案例分析
使用850nm LD光源測量多模光纖出口端的NFP案例分析
測量系統(tǒng)
測量框圖
測量系統(tǒng)的配置
光束NFP測量裝置
光源
FC連接器輸出型溫控高穩(wěn)定性LD光源（850nm）LSL002/850
光學(xué)
高性能光束 NFP 測量光學(xué)元件 M 型示波器 S 型
目的
20倍物鏡M-計劃阿波20
探測器
高精度數(shù)字CCD探測器ISA011
數(shù)據(jù)處理和分析設(shè)備
光束分析模塊 AP013
其他
手動3軸帶載物臺光纖測量光學(xué)支架OP002-F3
測量結(jié)果1（光束形狀分析，光束寬度測量）
使用850nm LD光源的多模光纖輸出NFP的觀察圖像和測量結(jié)果如左圖和下圖所示。
水平 52.342um / 垂直 52.940um（1/E 寬度）
測量條件
整體放大倍率：20倍（物鏡20倍）
像素分辨率：0.2325um
暗電流校正：是
應(yīng)計數(shù)量：8
測量結(jié)果 2（環(huán)形磁通分析）
使用此組件，可以執(zhí)行環(huán)形通量分析。 左圖顯示了在上述條件下從NFP測量圖像中獲得的包圍磁通量測量結(jié)果。
EF 圖：顯示在左側(cè)。
EF 分析條件
中心：區(qū)域重心
參考分析范圍設(shè)置：30um
半徑系數(shù)：1.15
分析間距：0.1um
后臺處理：是（系數(shù) 1.2）
測量點系統(tǒng)配置
光學(xué)元件選擇
對于光學(xué)系統(tǒng)，我們選擇了光束NFP測量光學(xué)系統(tǒng)M-Scope S型。 另外，由于多模光纖芯的直徑約為50um，因此我們選擇了是普通型20倍的物鏡。 因此，實際視場約為324um x 242um，像素分辨率為0.233um。
探測器選擇
由于測量波長約為850nm，分辨率很高，因此我們選擇了高精度數(shù)字CCD探測器ISA011。
EF分析功能
我們的NFP分析是一種使用放大光學(xué)系統(tǒng)和圖像檢測器的圖像處理分析方法。 將光束的二維光強分布捕獲為圖像并進行圖像分析。 因此，除了正常的光束輪廓分析外，它還可用于功率分布分析，例如EF分析。 EF 分析是我們的光束分析軟件 Optometrics BA 標準的標準。
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