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產(chǎn)品資料
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日本napson緊湊易用手動非接觸電阻測量儀-

產(chǎn)品名稱: 日本napson緊湊易用手動非接觸電阻測量儀-
產(chǎn)品型號: EC-80
產(chǎn)品特點(diǎn): 日本napson緊湊易用手動非接觸電阻測量儀-
一種簡單的測量儀器,只需在探針之間插入樣品即可進(jìn)行測量
在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
通過JOG撥盤輕松設(shè)置測量條件
*由于探頭是固定的,因此可以在購買前從幾種類型中選擇一種。

日本napson緊湊易用手動非接觸電阻測量儀- 的詳細(xì)介紹

日本napson緊湊易用手動非接觸電阻測量儀-

 

測量對象

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請聯(lián)系我們)

 

測量尺寸

?8英寸,或?156x156mm

 

測量范圍

[電阻率] 1 m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總量程/ 500 um的厚度)
[抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq 
(*所有探頭類型的總量程)

*每種探頭類型的測量范圍,請參見下文。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 )高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

帶有手持式探頭的手動無損(渦流法)電阻測量儀

產(chǎn)品名稱:EC-80P(便攜式)

產(chǎn)品圖片(可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制)

  • 手動型(單點(diǎn)測量系統(tǒng))
  • 手動型(單點(diǎn)測量系統(tǒng))
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產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 電阻可以通過簡單地接觸手持式探頭來測量。
  • 在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
  • 通過JOG撥盤輕松設(shè)置測量條件
  • 可更換的電阻測量探頭,帶連接器,適用于寬電阻范圍
  • (電阻探頭:多可以使用2 + PN判斷探頭)

 

測量規(guī)格

測量對象

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請聯(lián)系我們)

測量尺寸

無論樣品的大小和形狀如何,都可以進(jìn)行測量(但是,大于20mmφ且具有平坦的表面)

 

測量范圍

[電阻率] 1m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總量程/當(dāng)厚度為500um時)
[抗熱阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探頭類型的總量程)

 

*每種探頭類型的測量范圍,請參見下文。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 )高:10-1000Ω/□(0.5-60Ω-cm)
(4)S-高:1000-3000Ω/□(60-200Ω-cm)
(5)太陽能晶片:5-500Ω /□(0。 2?15Ω-cm)

 

傳單

*單擊下面的按鈕下載此產(chǎn)品的傳單。

下載

非接觸式(渦流法)電阻率/薄層電阻測量儀,可通過個人計(jì)算機(jī)輕松操作

產(chǎn)品名稱:NC-10(NC-20)

產(chǎn)品圖片(可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制)

  • 手動型(單點(diǎn)測量系統(tǒng))
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產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 通過PC節(jié)省空間,易于操作和數(shù)據(jù)處理
  • 非接觸式渦流方法可實(shí)現(xiàn)無損測量
  • 由于探頭是可拆卸和可更換的,因此您可以輕松地為每個范圍的探頭更換它。
  • (*第二和后續(xù)電阻探頭可選)
  • 中心1點(diǎn)測量
  • 厚度/溫度校正功能(硅晶片)

測量規(guī)格

測量對象

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
 新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
 導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
 硅基外延離子與
 半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
 其他(*請聯(lián)系我們)

 

測量尺寸

3至8英寸,?156 x 156毫米
(可選; 2英寸或12英寸,?210 x 210毫米)

測量范圍

[電阻率] 1m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總量程/當(dāng)厚度為500um時)
[抗熱阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探頭類型的總量程)

 

*每種探頭類型的測量范圍,請參見下文。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 )高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

 

DUORES手持式薄層電阻測量儀(2個探頭更換用[接觸型和無損測量探頭])

產(chǎn)品名稱:DUORES

產(chǎn)品圖片(可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制)

  • 手動型(單點(diǎn)測量系統(tǒng))
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產(chǎn)品特點(diǎn)

易于攜帶和測量的手持式薄層電阻測量裝置:DUORES

可以根據(jù)測量目標(biāo)交換和使用兩種類型的探頭(非破壞性/接觸式)

•世界上地衣臺可以更換和使用兩種類型的探頭(無損型,接觸型)的便捷型薄層電阻測量儀 • 
只需放置/應(yīng)用探頭即可自動進(jìn)行測量
•電池連續(xù)工作時間:24小時(*電池使用時)
•顯示數(shù)據(jù)項(xiàng)數(shù):多100(*顯示醉心數(shù)據(jù))

•保存的大數(shù)據(jù)數(shù):50,000(*軟件顯示屏)
•測量數(shù)據(jù)傳輸功能:USB-Mini 
•顯示:3個顯示單位(Ω/□,S /□,n / m [金屬膜厚度轉(zhuǎn)換]), 4位浮點(diǎn)數(shù)(0.000至9999)

*僅出售身體+非破壞性探針,僅出售身體+接觸探針。

測量規(guī)格

測量對象

薄膜,玻璃,紙材料等 
通常,可以在測量范圍內(nèi)測量任何樣品。
•薄膜材料(ITO,TCO等)
•低電子玻璃
•碳納米管,石墨烯材料
•金屬材料(納米線,網(wǎng)格,網(wǎng)格)
•其他

測量尺寸

無論尺寸和厚度如何,都可以進(jìn)行
測量(*每個探頭的測量點(diǎn)尺寸或更多)

<測量點(diǎn)>

?無損探棒(渦流型):φ25mm

?接觸探針(4種探針):9mm

測量范圍

?無損探棒(渦流方式):0.5 -200Ω/ sq 
?接觸式探棒(4探針方式):0.1 -4000Ω/ sq

 

傳單

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下載

非接觸型(脈沖電壓激勵法)超低電阻量程電阻測量系統(tǒng)

商品名稱:PVE-80

產(chǎn)品圖片(可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制)

  • 手動型(單點(diǎn)測量系統(tǒng))
  • 手動型(單點(diǎn)測量系統(tǒng))
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產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 非接觸式電阻測量系統(tǒng),采用脈沖電壓激勵方法作為測量原理,可在不損壞樣品的情況下進(jìn)行測量

  • 節(jié)省空間的車身外殼,便攜式可移動臺

  • 通過PC(軟件)輕松進(jìn)行測量操作和數(shù)據(jù)存儲/管理

  • 測量顯示單元可以根據(jù)應(yīng)用(薄層電阻,電導(dǎo)率,電導(dǎo)率)進(jìn)行更改

    *本產(chǎn)品使用本公司與千葉大學(xué)共同開發(fā)的測量方法:脈沖電壓激勵法(篆隸號5386394)。

測量規(guī)格

測量對象

新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜(金屬,ITO等)
復(fù)合半導(dǎo)體(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*聯(lián)系我們請給我)

測量尺寸

?A4尺寸(W300 x D210mm)

測量范圍

50μ?1mΩ/平方

傳單

*單擊下面的按鈕下載此產(chǎn)品的傳單。

日本napson緊湊易用手動非接觸電阻測量儀-

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