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產(chǎn)品資料
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日本napson高規(guī)半自動四探針薄層電阻測量儀

產(chǎn)品名稱: 日本napson高規(guī)半自動四探針薄層電阻測量儀
產(chǎn)品型號: RT-3000 / RG-2000
產(chǎn)品特點: 日本napson高規(guī)半自動四探針薄層電阻測量儀
具有拳球醉佳電阻測量范圍的4探針法測量儀
測量模式可編程和圓形/方形測量兼容的繪圖軟件
自檢功能，厚度/外圍位置/溫度補(bǔ)償功能（用于硅）
根據(jù)電阻范圍從兩種類型的測試儀中選擇
（RT-3000（S）：寬范圍的測量范圍，RT-3000（H）：高阻的測量范圍）

日本napson高規(guī)半自動四探針薄層電阻測量儀 的詳細(xì)介紹

日本napson高規(guī)半自動四探針薄層電阻測量儀

 

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

  • 與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
  • 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
  • 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
  • 擴(kuò)散樣本
  • 硅基薄膜（LTPS等），IGZO
  • 硅基外延離子注入樣品
  • 其他（*請與我們聯(lián)系）

測量尺寸

?8英寸，或?156x156mm 

-選項（兼容大直徑尺寸：RG-3000型）：?12英寸，?210 x 210毫米

 

測量范圍

①RT-3000（S）；
[電阻（比電阻）]100μ至1MΩ·cm 
[片材電阻] 1m至10MΩ/ 
sq②RT-3000（H）; 
[片材電阻] 10m至1GΩ/ sq

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

  • 與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
  • 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
  • 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
  • 擴(kuò)散樣本
  • 硅基薄膜（LTPS等），IGZO
  • 硅基外延離子注入樣品
  • 其他（*請與我們聯(lián)系）

測量尺寸

?8英寸，或?156x156mm 

-選項（兼容大直徑尺寸：RG-3000型）：?12英寸，?210 x 210毫米

 

測量范圍

①RT-3000（S）；
[電阻（比電阻）]100μ至1MΩ·cm 
[片材電阻] 1m至10MΩ/ 
sq②RT-3000（H）; 
[片材電阻] 10m至1GΩ/ sq

映射圖像

  • 半自動類型<br />（多點測量系統(tǒng)[包括軟件+ PC]）
  • 半自動類型<br />（多點測量系統(tǒng)[包括軟件+ PC]）
  • 半自動類型<br />（多點測量系統(tǒng)[包括軟件+ PC]）
  • 半自動類型<br />（多點測量系統(tǒng)[包括軟件+ PC]）

 日本napson高規(guī)半自動四探針薄層電阻測量儀

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聯(lián)系人：林經(jīng)理
地址：深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生社區(qū)新旺路和健云谷2棟B座1002
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