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產(chǎn)品資料
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日本napson2探針法擴(kuò)散電阻測(cè)試儀

產(chǎn)品名稱: 日本napson2探針法擴(kuò)散電阻測(cè)試儀
產(chǎn)品型號(hào): SRS-2010
產(chǎn)品特點(diǎn): 日本napson2探針法擴(kuò)散電阻測(cè)試儀
可以獲得樣品的深度方向上的電阻分布,外延層的厚度,PN結(jié)的深度以及載流子濃度分布。
可以從幾平方毫米的區(qū)域分析幾百微米的圖案區(qū)域。
根據(jù)測(cè)得的擴(kuò)展電阻,使用校準(zhǔn)曲線計(jì)算電阻

日本napson2探針法擴(kuò)散電阻測(cè)試儀 的詳細(xì)介紹

日本napson2探針法擴(kuò)散電阻測(cè)試儀

 

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料(硅,多晶硅,SiC等)

測(cè)量尺寸

*請(qǐng)聯(lián)系我們。

測(cè)量范圍

1-10E + 9(Ω)[擴(kuò)展電阻]

施加電壓:10(mV)檢測(cè)電流:10(pA)至10(mA)

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料(硅,多晶硅,SiC等)

測(cè)量尺寸

*請(qǐng)聯(lián)系我們。

測(cè)量范圍

1-10E + 9(Ω)[擴(kuò)展電阻]

施加電壓:10(mV)檢測(cè)電流:10(pA)至10(mA)

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料(硅,多晶硅,SiC等)

測(cè)量尺寸

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測(cè)量范圍

1-10E + 9(Ω)[擴(kuò)展電阻]

施加電壓:10(mV)檢測(cè)電流:10(pA)至10(mA)

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料(硅,多晶硅,SiC等)

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測(cè)量范圍

1-10E + 9(Ω)[擴(kuò)展電阻]

施加電壓:10(mV)檢測(cè)電流:10(pA)至10(mA)

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料(硅,多晶硅,SiC等)

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1-10E + 9(Ω)[擴(kuò)展電阻]

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與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料(硅,多晶硅,SiC等)

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1-10E + 9(Ω)[擴(kuò)展電阻]

施加電壓:10(mV)檢測(cè)電流:10(pA)至10(mA)

日本napson2探針法擴(kuò)散電阻測(cè)試儀

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